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晶体管
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2N6660

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数量单价合计
1
¥87.5976
87.5976
10
¥86.3659
863.659
25
¥80.2978
2007.445
100
¥72.772
7277.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
410 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
170 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.109 g
商品其它信息
优势价格,2N6660的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥119.0229
10:¥108.1862
25:¥100.118
50:¥94.6714
参考库存:39822
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 0013 Ohm 45 A Pwr MOSFET
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
参考库存:12862
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A
1:¥39.6517
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
1,000:¥20.9728
2,000:查看
参考库存:11364
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A SINGLE
10:¥1,132.7798
30:¥1,116.9485
50:¥1,116.8694
参考库存:39831
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
50:¥27.2782
100:¥25.5154
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:39836
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