您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FGA50N100BNTD2参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FGA50N100BNTD2

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:4,430(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.1613
62.1613
10
¥56.1723
561.723
25
¥53.562
1339.05
100
¥46.4882
4648.82
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA50N100BNTD2
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA50N100BNTD2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington 400Vc 400Vcev 200Vceo 60W
1:¥16.1364
10:¥14.3736
100:¥11.4469
500:¥10.0683
参考库存:8261
晶体管
MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
1:¥174.2686
5:¥172.4267
10:¥160.7538
25:¥153.5218
800:¥108.3444
参考库存:6898
晶体管
IGBT 晶体管 HOME APPLIANCES 14
1:¥54.1722
10:¥48.9516
25:¥46.7142
100:¥40.4992
参考库存:6870
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.8025
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:17742
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:6249
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号