您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
IRG4BC30UPBF参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

IRG4BC30UPBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:8,103(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
23 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535872
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC30UPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:9349
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:161261
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:32513
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥9.2999
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.424
1,000:¥4.2827
4,000:¥4.2827
参考库存:70995
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
1:¥233.4354
5:¥223.1411
10:¥215.3102
25:¥187.8738
500:¥162.0533
参考库存:6197
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号