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晶体管
IRLZ14PBF参考图片

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IRLZ14PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.1133
61.133
100
¥5.4127
541.27
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.39
3390
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
8.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRLZ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRLZ14PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥147.691
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10:¥489.3126
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100:¥444.5194
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