PEMD9,115详细参数_参考价格_PEMD9,115 PDF资料_Nexperia

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-666-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.6 mm
长度	1.7 mm
宽度	1.3 mm
商标	Nexperia
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
零件号别名	PEMD9 T/R
单位重量	2.800 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STP5NK60Z	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp	1:¥13.1419 10:¥11.1418 100:¥8.9157 500:¥7.8422	参考库存:13235
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FDPF55N06	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET	1:¥11.526 10:¥9.831 100:¥7.5597 500:¥6.6783	参考库存:11083