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晶体管
STGD5NB120SZT4参考图片

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STGD5NB120SZT4

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp
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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
2,500
¥6.441
16102.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
55 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD5NB120SZ
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STGD5NB120SZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.921
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:43811
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL COMP GP TRANS SOT963
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:74983
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,289.9854
10:¥1,183.7202
25:¥1,062.313
50:¥940.9058
参考库存:3640
晶体管
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1:¥4.7686
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5707
参考库存:14597
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:38119
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