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晶体管
IPAN70R360P7SXKSA1参考图片

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IPAN70R360P7SXKSA1

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数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.2206
2610.3
1,000
¥4.1132
4113.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
16.4 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPAN70R360P7S SP001682066
商品其它信息
优势价格，IPAN70R360P7SXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FD800R17HP4-K_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 800A 1700V
1:¥7,278.1266
参考库存:2359
SIR438DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V 60A 83W
1:¥15.0629
10:¥12.5204
100:¥9.6841
500:¥8.5315
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.0682
参考库存:17086
BD437TG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 45V 36W NPN
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:90423
SIS410DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
1,000:¥4.2827
3,000:¥3.9776
参考库存:35755
IRF840ASPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥15.594
10:¥12.9837
参考库存:30227
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