| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
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150:¥1,030.3453
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参考库存:39789
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
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250:¥747.495
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参考库存:39779
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥9,605.00
5:¥9,451.4782
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参考库存:6364
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
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1:¥502.9969
5:¥492.3184
10:¥473.1084
25:¥457.8873
100:¥424.315
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参考库存:6483
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥2,614.7861
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参考库存:39731
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
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1:¥100.0502
10:¥92.0498
25:¥87.9818
100:¥77.6875
1,000:¥61.5511
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参考库存:8758
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
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1:¥222.0676
5:¥212.2366
10:¥204.7786
25:¥178.7321
500:¥154.1433
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参考库存:8758
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,369.2097
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参考库存:39639
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥382.1999
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参考库存:39634
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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1:¥83.0663
10:¥76.3767
25:¥72.998
100:¥64.5456
1,000:¥51.0986
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参考库存:10189
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
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1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
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参考库存:39607
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:39602
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:39583
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
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500:¥382.1999
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参考库存:39557
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1014N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
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1:¥99.0445
10:¥91.0554
25:¥87.0552
100:¥76.9191
1,000:¥60.9296
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参考库存:7911
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD020N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
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1,000:¥185.7946
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参考库存:39536
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF6V12500GS/CFM2///REEL 13
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50:¥2,727.6618
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参考库存:39529
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥507.5282
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参考库存:39505
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4
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250:¥700.0124
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参考库存:39493
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
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1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
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参考库存:39488
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