图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T14H450-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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150:¥822.9564
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参考库存:38763
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
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1:¥855.2292 5:¥838.5504 10:¥810.888 25:¥776.6264 50:¥765.9366
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参考库存:5447
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4
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1:¥599.7362 5:¥582.289 10:¥569.7686 25:¥545.8691 250:¥484.0129
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参考库存:38730
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
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1:¥294.3763 5:¥279.4716 10:¥274.6239 25:¥248.9616 500:¥212.3835
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参考库存:38719
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G
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1:¥160.9798 10:¥147.9961 25:¥141.4647 100:¥125.0232 500:¥107.9602
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参考库存:38685
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,872.3518
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参考库存:38675
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
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150:¥879.818
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参考库存:38670
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥841.7822
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参考库存:38658
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,497.0014
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参考库存:38606
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,073.6726
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参考库存:38588
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-88
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:38581
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
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1:¥798.6727 5:¥783.1578 10:¥757.3373 25:¥725.2905 250:¥650.2924
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参考库存:38556
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,028.5825
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参考库存:38529
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
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1:¥2,305.2791 5:¥2,269.7745 10:¥2,236.044 25:¥2,187.793 50:¥2,154.1303
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参考库存:38515
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314H/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,771.8496
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参考库存:38484
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
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250:¥631.1615
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参考库存:38479
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500:¥2,127.3945
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参考库存:38474
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,160.3631
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参考库存:38438
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
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150:¥1,033.5771
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参考库存:38433
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥822.7304
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参考库存:38424
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