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无线和射频半导体
TGF2955参考图片

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TGF2955

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
46.4 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112260
商品其它信息
优势价格,TGF2955的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 I.CODE HS READER
1:¥128.8652
10:¥118.4918
25:¥113.565
100:¥100.118
参考库存:8064
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
1:¥36.5781
10:¥29.4252
100:¥26.8149
250:¥24.2046
1,000:¥18.2834
参考库存:8156
无线和射频半导体
射频放大器 3-6GHz GaAs Gain 17.5dB
1:¥26.1256
10:¥24.8148
100:¥22.8938
250:¥20.2835
2,500:¥8.7575
参考库存:15988
无线和射频半导体
射频放大器 3.3-3.6GHz SSG 35dB NF 5dB P1dB 34.5dBm
1:¥183.4894
25:¥140.6172
100:¥109.8812
250:¥91.0554
500:¥81.6764
1,000:¥71.6872
参考库存:8345
无线和射频半导体
射频放大器 1805-1880MHz 4W Small Cell PAE 36.5%
1:¥85.5184
10:¥77.3033
25:¥71.2352
50:¥67.1559
2,500:¥49.4036
参考库存:8872
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