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无线和射频半导体
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2SK4037(TE12L,Q)

  • Toshiba
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
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1
¥36.5781
36.5781
10
¥29.4252
294.252
100
¥26.8149
2681.49
250
¥24.2046
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1,000
¥18.2834
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
12 V
增益
11.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK4037
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
商品其它信息
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