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无线和射频半导体
A3G20S250-01SR3参考图片

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A3G20S250-01SR3

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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数量单价合计
1
¥725.8329
725.8329
5
¥702.3967
3511.9835
10
¥688.3282
6883.282
25
¥644.9927
16124.8175
100
¥622.7882
62278.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN Si
Id-连续漏极电流
250 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18.2 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G20S250
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935377832118
商品其它信息
优势价格,A3G20S250-01SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:3087
无线和射频半导体
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1:¥82.9872
10:¥75.0772
25:¥71.5403
100:¥62.1613
500:¥54.0931
参考库存:8084
无线和射频半导体
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50:¥415.5462
100:¥385.1266
参考库存:3336
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1:¥72.3087
10:¥65.088
25:¥61.246
50:¥57.5509
3,000:¥39.4144
参考库存:32816
无线和射频半导体
射频前端 802.11A/N/AC 5 GHZ FEM
1:¥11.8311
10:¥10.6785
25:¥9.5259
100:¥8.5315
5,000:¥4.7234
参考库存:47818
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