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无线和射频半导体
HMC1132PM5E参考图片

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HMC1132PM5E

  • Analog Devices
  • 最新
  • 射频放大器 27 GHz to 32 GHz1W POWER AMPLIFIER
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFCSP-32
类型
Power Amplifier
技术
GaAs
P1dB - 压缩点
30 dBm
增益
22 dB
工作电源电压
6 V
OIP3 - 三阶截点
35 dBm
工作电源电流
600 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC1132
封装
Cut Tape
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
输入返回损失
6 dB
Pd-功率耗散
5.49 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC1132PM5E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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1:¥3.1527
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100:¥1.1639
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1:¥65.54
10:¥58.9408
25:¥53.7089
50:¥49.6409
参考库存:2782
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