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无线和射频半导体
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BLV25

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数量单价合计
1
¥1,224.6714
1224.6714
10
¥1,123.785
11237.85
25
¥1,008.525
25213.125
50
¥893.265
44663.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
17.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
316-01
封装
Tray
工作频率
108 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC260ALC3BTR-R5
Analog Devices
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500:¥323.1913
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