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无线和射频半导体
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ARF1500

  • Microchip / Microsemi
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥1,386.1145
1386.1145
2
¥1,352.7682
2705.5364
5
¥1,333.0158
6665.079
10
¥1,314.1222
13141.222
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
60 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
17 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
40 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
6 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
10 ns
Pd-功率耗散
1.5 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格，ARF1500的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TQP3M9005
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 .1-4GHz NF .8dB Gain 15.3dB
1:¥25.5832
25:¥19.5942
100:¥15.2889
250:¥12.6786
2,500:¥9.9892
参考库存:11883
SE5023L-R
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 5.15-5.85GHz Gain 32dB P1dB 34dBm
1:¥43.1095
10:¥38.5782
25:¥34.7362
100:¥31.6626
3,000:¥19.5151
参考库存:11815
QPD1015
Qorvo
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
1:¥1,037.34
25:¥899.028
100:¥776.084
参考库存:2282
GRF2012
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频放大器 .05-3.8GHz NF 1.9dB Gain 15dB OIP3 40dB
1:¥17.8314
10:¥16.9839
100:¥15.6731
250:¥13.8312
2,500:¥5.9777
参考库存:16554
SKY65715-81
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 BDS/GPS/GNSS NF 1.9dB Gain 16.5dB
1:¥12.6786
10:¥11.4469
25:¥10.2152
100:¥9.2208
10,000:¥5.085
参考库存:29581
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