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无线和射频半导体
A3T21H360W23SR6参考图片

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A3T21H360W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥894.1125
894.1125
5
¥877.671
4388.355
10
¥838.1662
8381.662
25
¥810.1987
20254.9675
100
¥754.4106
75441.06
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.4 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.4 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935354511128
单位重量
6.029 g
商品其它信息
优势价格，A3T21H360W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PCF7941ETT/M2AB300
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频无线杂项 REMOTE KEYLESS ENTRY
1:¥28.9732
10:¥24.5888
100:¥21.357
250:¥20.2835
2,500:¥14.5996
参考库存:25816
ATA5575M2330-DBQ
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
RFID应答器 ATA5575 128bit RFID IDIC;330pF;Animal-ID
1:¥2.2261
10:¥2.1809
25:¥1.808
100:¥1.7741
15,000:¥1.7741
参考库存:25821
HMC7586
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 71-76GHz IQ LNC
25:¥1,041.1029
参考库存:25826
PD-120-PIN
MACOM
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器
1:¥682.1132
参考库存:25831
SI4320-J1-FT
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 RX SubG
1:¥44.3412
10:¥39.9568
25:¥35.5724
50:¥34.0356
参考库存:25836
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