您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
BFR 181W H6327参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BFR 181W H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:74,591(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.8871
18.871
100
¥0.70738
70.738
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.46104
1383.12
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR181
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
20 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
175 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR181WH6327XT BFR181WH6327XTSA1 SP000750418
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 181W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 100 MHz to 4000 MHz RF/IF Digi Cont VGA
1,500:¥54.4773
参考库存:23641
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,121.1682
5:¥2,088.5903
10:¥2,057.4701
25:¥2,013.0498
50:¥1,982.1669
参考库存:23646
CEL
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
1:¥960.50
参考库存:23651
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT w/AGC, 2 - 20 GHz
1:¥3,105.7937
5:¥3,028.9537
参考库存:23656
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V / 5.0V 200 MHz PLL Clock Multi
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
2,500:¥18.3625
参考库存:23661
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号