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无线和射频半导体
MRF141G参考图片

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MRF141G

  • MACOM
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
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数量单价合计
1
¥1,207.3824
1207.3824
10
¥1,180.3415
11803.415
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
32 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
12 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
375-04
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
175 MHz
商标
MACOM
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格,MRF141G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 .1-3GHz 1W Gain 23dB OIP3 40dBm
1:¥116.7968
10:¥106.0392
25:¥98.2761
50:¥92.5922
500:¥74.6139
参考库存:2038
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PN7462AUHN/HVQFN64//C300/TRAY SINGLE DP BAKEABLE
1:¥73.6873
10:¥66.6248
25:¥63.5512
100:¥55.1666
参考库存:2640
无线和射频半导体
衰减器 10db 0.75W 0603 DC to 20 GHz
1:¥53.0987
10:¥47.4148
25:¥42.7253
50:¥41.1094
1,000:¥25.2781
参考库存:5787
无线和射频半导体
射频放大器 1.4-2.7GHz Gain 31.7 NF 1.5dB
1:¥105.9601
25:¥81.1453
100:¥63.393
250:¥52.4772
2,500:¥41.3354
参考库存:12349
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
4,500:¥2.8702
参考库存:23426
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