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无线和射频半导体
PD54008L-E参考图片

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PD54008L-E

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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数量单价合计
1
¥73.3031
73.3031
10
¥66.3084
663.084
25
¥63.2348
1580.87
100
¥54.8615
5486.15
3,000
¥40.115
120345
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
15 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD54008L-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
26.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD54008L-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 DC-2.4GHz LSB 1dB Attn. Range 50dB
1:¥132.775
10:¥120.0964
50:¥110.6496
100:¥101.2028
参考库存:4034
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:3896
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 32 PIN SiP 256K MCU + 802.15.4 Sub-GHz Radio
1:¥26.894
10:¥26.5098
25:¥24.6679
100:¥23.9786
5,000:¥23.9786
参考库存:33536
无线和射频半导体
射频前端 5G FEM, 2.5mmx2.5mm, 3.3V, Improved Power Detect
1:¥15.2098
10:¥13.7521
25:¥12.2944
100:¥11.0627
参考库存:6313
无线和射频半导体
射频放大器 10-1200MHz NF 2.8dB Gain 15dB
1:¥1,047.7925
参考库存:33543
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