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无线和射频半导体
MRF5812LF参考图片

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MRF5812LF

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数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.8941
288.941
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MRF5812LF
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,MRF5812LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Delta-Sigma Low Power Dual PLL for RF Pe
1:¥35.6515
10:¥32.0468
100:¥26.2047
250:¥24.5888
1,000:¥18.8258
参考库存:7180
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor
1:¥1,908.8638
5:¥1,868.5906
10:¥1,828.1818
25:¥1,782.0778
50:¥1,735.8156
参考库存:3217
无线和射频半导体
射频放大器 300MHz - 2.5GHz SiGe Ultra-Low-Noise
1:¥27.2782
10:¥24.5097
25:¥23.2102
50:¥20.2835
2,500:¥12.9837
参考库存:24054
无线和射频半导体
RF 开关 IC .5-6.0GHz SPDT GaAs IL.5dB Iso 25dB
1:¥10.9158
10:¥9.7632
25:¥8.4524
100:¥7.6501
3,000:¥4.52
参考库存:16071
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC hi per
1:¥72.0714
10:¥65.1558
25:¥60.3194
100:¥53.9462
250:¥51.2568
参考库存:5348
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