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无线和射频半导体
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SD1480

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数量单价合计
1
¥587.826
587.826
10
¥539.4168
5394.168
25
¥484.092
12102.3
50
¥428.7672
21438.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M111
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，SD1480的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAMX-011023-TR3000
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器 4-23GHz NF7dB@12GHz RF5-25GHz LO4-23GHz
3,000:¥40.8834
参考库存:38429
2089-6204-00
MACOM
无线和射频半导体
预定标器 8-12.4GHz IL .40dB VSWR 1.60:1
5:¥5,428.746
参考库存:38434
QPF8538TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 WiFi FEM NF 2.5dB 3.3V RX Gain 12.5dB
1:¥17.1308
250:¥12.7577
500:¥10.7576
1,000:¥7.8422
2,500:¥5.9212
参考库存:22431
NJG1138HA8-TE1
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 900MHz Band LNA GaAs MMIC
3,000:¥7.684
参考库存:38441
PTVA120251EA-V2-R0
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥591.2047
参考库存:38446
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