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无线和射频半导体
BF1105R,215参考图片

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BF1105R,215

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.9945
29.945
25
¥2.7007
67.5175
100
¥2.3617
236.17
3,000
¥1.2882
3864.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
7 V, 7 V
Rds On-漏源导通电阻
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143R-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
3 mm
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V, 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
934050330215
单位重量
9.100 mg
商品其它信息
优势价格，BF1105R,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAAMSS0042TR
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz NF 3dB Gain 15dB 75 Ohm
1:¥32.0468
10:¥24.747
100:¥22.5096
250:¥20.3626
1,000:¥14.9047
参考库存:3519
D10040270GT
Qorvo
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1:¥273.6295
25:¥255.6512
100:¥240.125
250:¥228.7572
参考库存:2706
MRF555T
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无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥45.4147
10:¥37.1883
25:¥33.0412
50:¥29.7416
参考库存:3028
ADF7021BCPZ
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无线和射频半导体
射频收发器 High Performance Narrow-Band IC
1:¥46.33
10:¥41.3354
25:¥37.1883
50:¥35.5046
参考库存:2640
ADF4150HVBCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Hi VTG Fractional-N Integer-N
1:¥46.5673
10:¥41.8778
25:¥39.4144
50:¥37.0414
参考库存:2752
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