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无线和射频半导体
MRF555T参考图片

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MRF555T

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数量单价合计
1
¥45.4147
45.4147
10
¥37.1883
371.883
25
¥33.0412
826.03
50
¥29.7416
1487.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
500 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
317D-02
封装
Tray
工作频率
470 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF555T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 HV7 1990MHz WB16 Plastic
1:¥504.4546
5:¥477.2555
10:¥470.419
25:¥436.3721
500:¥345.4749
参考库存:30773
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,690.48
25:¥1,525.6582
参考库存:1235
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,042.4863
2:¥1,993.3087
5:¥1,964.1095
10:¥1,936.368
参考库存:1177
无线和射频半导体
射频放大器 Dl 50-1000MHz Hi-Lin Analog/Digital VGA
1:¥131.7015
10:¥124.3226
25:¥99.4287
50:¥94.5132
2,500:¥59.9352
参考库存:30782
无线和射频半导体
射频发射器 433MHz FSK Transmitter
1:¥17.9783
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
参考库存:1544
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