您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
D5030UK参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

D5030UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 400W-50V-175MHz SE
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:36,561(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥2,037.4917
101874.585
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
24 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
16 dB
输出功率
400 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
583 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D5030UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 512 kB 64 kB (RAM) 31GPIO, +125C
1:¥68.3876
10:¥64.3196
25:¥62.3195
50:¥60.3194
参考库存:3796
无线和射频半导体
射频前端 MFRC63003HN/HVQFN32///TRAY SINGLE DP BAKEABLE
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:4008
无线和射频半导体
射频放大器 .5-6GHz NF 1.4dB Gain 16.3dB
1:¥49.5618
25:¥37.9567
100:¥29.6625
250:¥24.5888
2,500:¥19.3682
参考库存:18350
无线和射频半导体
射频放大器 20MHz-1.0GHz IF Gain Block
1:¥33.8887
10:¥30.2727
25:¥27.2782
50:¥25.9674
1,000:¥17.4472
参考库存:18747
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC3200R1M2RGCR
1:¥78.8401
10:¥71.303
25:¥66.0033
100:¥59.0086
2,500:¥43.1095
参考库存:18759
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号