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分立半导体
DMN60H080DS-13参考图片

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DMN60H080DS-13

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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.80682
806.82
10,000
¥0.54579
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
80 mA
Rds On-漏源导通电阻
67 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
76 ms
下降时间
158 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN60H080DS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥17.7523
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10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
7,500:¥0.53788
22,500:查看
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25:¥7.1981
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参考库存:8317
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