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分立半导体
VN0808L-G参考图片

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VN0808L-G

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库存:8,317(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥8.5315
85.315
25
¥7.1981
179.9525
100
¥6.5653
656.53
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
170 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VN0808L-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
500:¥11.2209
800:¥9.2999
参考库存:2929
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:6516
分立半导体
MOSFET 350mW, 60V, 340mA
1:¥2.5312
10:¥2.2713
100:¥1.2769
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.4068
参考库存:125193
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 45V
1:¥7.1416
10:¥6.3054
25:¥5.7065
100:¥4.9946
参考库存:11470
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench schottky 10amp 45v
1:¥4.9155
10:¥4.3053
25:¥3.8985
100:¥3.4013
1,500:¥1.7741
4,500:查看
参考库存:28067
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