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分立半导体
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FQD4N20TM

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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3618
43.618
100
¥2.8137
281.37
1,000
¥2.2487
2248.7
2,500
¥1.9097
4774.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD4N20
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.85 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD4N20TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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2,000:¥6.1472
4,000:¥5.9212
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22,500:¥0.42262
45,000:¥0.37629
97,500:¥0.35369
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2,000:¥3.2996
4,000:¥3.1527
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2,000:¥2.4408
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