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分立半导体
DN3545N3-G P002参考图片

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DN3545N3-G P002

  • Microchip Technology
  • 最新
  • MOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.2999
92.999
25
¥7.7631
194.0775
100
¥7.0738
707.38
2,000
¥7.0738
14147.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
136 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，DN3545N3-G P002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84C3V9 RF
Taiwan Semiconductor
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1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
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参考库存:55444
S3BHR7G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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1:¥4.0002
10:¥3.1527
100:¥2.147
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850:¥1.06785
参考库存:55449
SK25AHE3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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1:¥4.3053
10:¥3.0736
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500:¥1.1865
1,800:¥0.79891
9,000:查看
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GPA806HC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 8A, 800V, G.P. SINGLE RECTIFIER
1:¥5.763
10:¥5.2206
100:¥4.0567
500:¥3.0058
2,000:¥2.0114
4,000:查看
参考库存:55459
BZX84C10 RF
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 10v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:55464
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