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分立半导体
IHW20N120R3FKSA1参考图片

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IHW20N120R3FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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数量单价合计
1
¥30.962
30.962
10
¥26.2838
262.838
100
¥22.826
2282.6
250
¥21.6734
5418.35
500
¥19.436
9718
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.48 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
310 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW20N120R3 IHW2N12R3XK SP000437702
单位重量
5.420 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B62-G3-18
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1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
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稳压二极管 62 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
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10,000:¥0.36838
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