您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
IKW20N60T参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

IKW20N60T

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:4,743(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
500
¥18.0574
9028.7
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW20N60TFKSA1 IKW2N6TXK SP000054886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW20N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器
700:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:6174
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G18H500-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,060.6971
参考库存:50723
分立半导体
整流器 200V 400A Si Super Fast Recovery
18:¥917.0854
36:¥885.0386
54:¥865.4444
108:¥852.924
参考库存:50728
分立半导体
桥式整流器 1.5A,400V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
3,000:¥1.6272
参考库存:50733
分立半导体
整流器 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
15,000:¥0.62263
22,500:¥0.56048
45,000:¥0.49946
97,500:¥0.41471
参考库存:50738
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号