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分立半导体
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FDG6322C

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1
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¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89157
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
220 mA, 410 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6322C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
FET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.2 S, 0.9 S
下降时间
4.5 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.5 ns, 8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4 ns, 55 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 7 ns
零件号别名
FDG6322C_NL
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，FDG6322C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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