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分立半导体
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SP000928950

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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.808
18.08
100
¥0.77631
77.631
1,000
¥0.5989
598.9
3,000
¥0.45313
1359.39
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
540 mA
Rds On-漏源导通电阻
346 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS670S2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
600 mS
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
BSS670S2L BSS670S2LH6327XTSA1 H6327 SP000928950
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SP000928950的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.54579
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10,000:¥0.20001
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1,000:¥0.3616
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1:¥1.5368
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1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:129396
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