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分立半导体
IRLR8726TRLPBF参考图片

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IRLR8726TRLPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
3,000
¥1.2656
3796.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
86 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001552846
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRLR8726TRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRGP66524D0
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 晶体管 600V COOLiRIGBT
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.172
100:¥43.5728
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STF12N120K5
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分立半导体
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1:¥74.0715
10:¥66.9299
25:¥63.8563
100:¥55.4039
参考库存:8387
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分立半导体
IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
1:¥1,174.7254
参考库存:4499
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分立半导体
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1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:9141
PBHV9040TVL
Nexperia
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1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:54393
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