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分立半导体
IKW50N60TA参考图片

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IKW50N60TA

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数量单价合计
1
¥60.3985
60.3985
10
¥54.5564
545.564
25
¥52.0252
1300.63
100
¥45.1774
4517.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60TAFKSA1 IKW5N6TAXK SP000647366
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IKW50N60TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 100V 2A UltraFast
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
5,000:¥0.82264
10,000:¥0.7684
参考库存:62681
分立半导体
MOSFET 450V 20Ohm
1:¥5.2997
10:¥5.2206
25:¥4.4296
100:¥4.0341
参考库存:6343
分立半导体
双向可控硅 400V 6A Sensing 5-5-5-10mA
1:¥13.8312
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4862
参考库存:12555
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
1:¥54.9406
10:¥49.6409
25:¥47.3357
100:¥41.1094
参考库存:4272
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:15789
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