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分立半导体
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IPD50N03S2-07

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数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4467
74.467
100
¥5.7178
571.78
500
¥5.0511
2525.55
2,500
¥3.5369
8842.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPD50N03S207ATMA1 IPD5N3S27XT SP000254462
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD50N03S2-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ5.1D5E3/TR12
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