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分立半导体
NVD5890NT4G参考图片

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NVD5890NT4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
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库存：14,374(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
2,500
¥6.6444
16611
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
123 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVD5890N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
16.8 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，NVD5890NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4711-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:31301
MMSZ5243B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 13 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:31306
TLZ3V3A-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:31311
BZX384C11-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.2W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:31316
BZX84C5V1-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:53188
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