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分立半导体
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FDP036N10A

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数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
500
¥18.4416
9220.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
176 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP036N10A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
167 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ47D/TR12
Microsemi
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4,000:¥9.831
8,000:¥9.4468
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JANTX1N3041DUR-1
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暂无价格
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3,000:¥11.9102
6,000:¥10.9158
参考库存:39624
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