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分立半导体
TK49N65W,S1F参考图片

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TK49N65W,S1F

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
49.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK49N65W
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,TK49N65W,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.2996
10:¥1.6046
100:¥1.10627
500:¥0.90626
10,000:¥0.52206
参考库存:54925
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 0.6A
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:21667
分立半导体
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥10.1474
10:¥8.9948
100:¥7.119
2,500:¥7.119
参考库存:14899
分立半导体
稳压二极管 TVS ARRAY
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
8,000:¥1.00683
24,000:查看
参考库存:60401
分立半导体
整流器 1200 Volt 150 Amp
1:¥212.6208
5:¥203.0836
10:¥196.7104
25:¥180.80
参考库存:4963
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