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分立半导体
IPD090N03L G参考图片

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IPD090N03L G

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数量单价合计
2,500
¥1.7289
4322.25
10,000
¥1.6724
16724
25,000
¥1.5933
39832.5
50,000
¥1.5707
78535
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
IPD090N03LGBTMA1 IPD9N3LGXT SP000236950
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD090N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STTH1002CFP
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 ULTRAFAST DIODE
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
参考库存:12722
BSC123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.3223
1,000:¥4.1923
5,000:¥4.1923
参考库存:112559
BZX85B10-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 1.3 Watt 2%
1:¥3.2996
10:¥1.8871
100:¥1.01474
500:¥0.81473
5,000:¥0.47686
10,000:查看
参考库存:64681
SIA429DJT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.6159
参考库存:141868
DZ23C10-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:52340
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