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分立半导体
BSP295 H6327参考图片

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BSP295 H6327

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库存:11,676(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP295
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
800 mS
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
零件号别名
BSP295H6327XTSA1 SP001058618
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,BSP295 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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60:¥574.2208
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