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分立半导体
BSZ086P03NS3E G参考图片

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BSZ086P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
5,000
¥2.3391
11695.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
57.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ86P3NS3EGXT SP000473016
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ086P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6643
Semtech
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250:¥70.9188
500:¥63.167
1,000:¥60.8618
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Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥3.9776
6,000:¥3.8985
9,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:43885
PTV6.8B-M3/85A
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分立半导体
稳压二极管 1.5watt 6.8volt
10,000:¥1.08367
20,000:¥1.02943
参考库存:43890
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250:¥86.445
500:¥76.9982
1,000:¥74.1506
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BZD27B51P-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF 150W Pppm. Uni-Dir
30,000:¥0.72207
参考库存:43900
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