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分立半导体
SIHB12N60E-GE3参考图片

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SIHB12N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥15.9782
15.9782
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.2943
1029.43
500
¥8.9948
4497.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SIHB12N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN1R8-40YLC,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-channel 40V MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6275
500:¥6.7348
1,000:¥5.3223
1,500:¥5.3223
参考库存:225109
FB10R06KL4G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 600V 15A
1:¥332.559
5:¥325.1123
10:¥310.2754
25:¥297.2126
参考库存:4356
APT2X101S20J
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Discrete RECTIFIER
1:¥205.8521
5:¥196.6313
10:¥190.4841
25:¥175.037
参考库存:5843
MMBFJ201
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
JFET N-Channel Transistor General Purpose
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.1413
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.73789
参考库存:435825
CGH27030S
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥404.1784
250:¥404.1784
参考库存:7392
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