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分立半导体
APT43GA90BD30参考图片

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APT43GA90BD30

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥72.2296
72.2296
10
¥65.0089
650.089
25
¥59.1668
1479.17
50
¥55.1666
2758.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
337 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT43GA90BD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
1:¥3.842
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.4803
参考库存:145384
分立半导体
JFET JFET N-Channel -25V 10mA -45Vgss 15pF
1:¥164.5958
10:¥138.4702
100:¥127.3962
250:¥116.1075
参考库存:3801
分立半导体
MOSFET Single N-Channel 60V 300mA
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:84408
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 7.2 Ohm, 0.4 A Zener-protected SuperMESH(TM) MOSFET in a TO-92 package
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
参考库存:39640
分立半导体
SCR PCT 1600V 880A
1:¥1,065.3075
5:¥1,044.4138
10:¥995.6882
25:¥974.7945
参考库存:2722
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