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分立半导体
STQ2NK60ZR-AP参考图片

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STQ2NK60ZR-AP

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 7.2 Ohm, 0.4 A Zener-protected SuperMESH(TM) MOSFET in a TO-92 package
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3392
43.392
100
¥2.8024
280.24
1,000
¥2.2487
2248.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
高度
4.95 mm
长度
4.95 mm
系列
STQ2NK60ZR-AP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.94 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格，STQ2NK60ZR-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAV99T116
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH HI SPEED
1:¥3.2318
10:¥2.2374
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.67574
参考库存:13845
BZV55C15-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 15V 110Ohms
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
2,500:¥0.43844
10,000:查看
参考库存:162392
IRGIB10B60KD1P
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
1:¥23.9786
10:¥20.3626
100:¥17.6732
250:¥16.7466
500:¥14.9838
参考库存:2704
1N4248
Semtech
分立半导体
整流器 D MET 1A STD 800V
1:¥73.224
10:¥65.9242
25:¥60.0934
100:¥54.1722
参考库存:1961
DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SM Sig Schotky Diode 30V 0.1A Single
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:140478
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