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分立半导体
2N7002BKW,115参考图片

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2N7002BKW,115

  • Nexperia
  • 最新
  • MOSFET Single N-Channel 60V 300mA
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
310 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
330 mW (1/3 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel Trench MOSFET
类型
Enhancement
商标
Nexperia
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,2N7002BKW,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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3,000:¥0.78422
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10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
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