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分立半导体
MAX2601ESA+参考图片

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MAX2601ESA+

  • Maxim Integrated
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  • 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
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库存:1,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
25
¥27.0522
676.305
50
¥23.3571
1167.855
250
¥22.8938
5723.45
1,000
¥20.7468
20746.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Maxim Integrated
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MAX2601
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
高度
1.58 mm
长度
4.98 mm
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.99 mm
商标
Maxim Integrated
最大直流电集电极电流
1.2 A
Pd-功率耗散
6.4 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
MAX2601
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,MAX2601ESA+的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥1.1526
10:¥1.04525
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
10,000:¥0.16159
20,000:查看
参考库存:152716
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.368
250:¥14.5205
参考库存:7713
分立半导体
MOSFET
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.594
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:11670
分立半导体
MOSFET N-Ch 500V 17A TO220FP-3 CoolMOS CP
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
500:¥14.0572
参考库存:4722
分立半导体
IGBT 晶体管 Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package
1:¥80.682
10:¥74.2297
25:¥71.1561
100:¥62.6246
参考库存:3674
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