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分立半导体
SQD50P08-25L_GE3参考图片

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SQD50P08-25L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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库存:129,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥19.5151
195.151
100
¥15.6731
1567.31
500
¥12.1362
6068.1
2,000
¥8.9948
17989.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SQD50P08-25L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 36V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:24845
分立半导体
稳压二极管 500mW 16V
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:38702
分立半导体
达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN PBFR
1:¥3.842
10:¥2.486
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.62263
参考库存:51429
分立半导体
稳压二极管 5.1V, 20mA
3,000:¥0.4068
9,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.26894
参考库存:25138
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:67081
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