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分立半导体
STGYA120M65DF2AG参考图片

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STGYA120M65DF2AG

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package
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数量单价合计
1
¥80.682
80.682
10
¥74.2297
742.297
25
¥71.1561
1778.9025
100
¥62.6246
6262.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
MAX-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGYA120M65DF2AG
资格
AEC-Q101
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGYA120M65DF2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
1:¥14.7578
10:¥13.3679
100:¥10.7576
500:¥8.3733
2,000:¥6.5653
4,000:查看
参考库存:14683
分立半导体
整流器 RECTIFIER SUPERFAST PWRDI 1.0A 400V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:307105
分立半导体
整流器 100V 1A
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.61472
参考库存:364247
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600 Volt 300 Amp
1:¥305.213
5:¥291.4496
10:¥282.3079
25:¥259.4141
50:¥253.346
参考库存:4689
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH DIODE FLT LD 1.25x2.5mm
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.94468
500:¥0.46104
3,000:¥0.26103
9,000:查看
参考库存:151431
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