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分立半导体
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BSS314PEH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
107 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS314
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
零件号别名
BSS314PE BSS314PEH6327XT H6327 SP000928944
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS314PEH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TN2510N8-G
Microchip Technology
分立半导体
MOSFET 100V 1.5Ohm
1:¥7.8422
10:¥7.7631
25:¥6.5653
100:¥5.9325
2,000:¥4.1019
4,000:查看
参考库存:22208
2N3904BU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.6159
10:¥1.05994
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
参考库存:456725
STD17NF25
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
2,500:¥6.441
5,000:查看
参考库存:18157
1N5819-T
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Vr/40V Io/1A T/R
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
5,000:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:70299
MJL4281AG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 350V 230W NPN
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:8136
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