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分立半导体
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LND150N3-G-P003

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1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.8985
38.985
25
¥3.2431
81.0775
100
¥3.0058
300.58
2,000
¥3.0058
6011.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
30 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 kOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
1300 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
450 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
90 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ47D/TR12
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3,000:¥11.9102
6,000:¥10.9158
参考库存:39624
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